"Intel" yarımkeçirici texnologiyasında qazdan istifadə edərək, 2030-cu ilə qədər çiplərdə tranzistor sayını 1 trilyona çatdırmağı planlaşdırır.

İndex.az xəbər verir ki, "Intel"in baş direktoru Pat Qelsinqer, çip istehsalında böyük texnoloji inkişaf gözlədiyi üçün şirkət olaraq 2031-ci ilə qədər "Mur Qanunu"nun sürətini keçə biləcəklərini düşünür.

Qelsinqer tranzistorların sayını artırmaq üçün "Super Mur Qanunu" və ya "Mur Qanunu 2.0" anlayışını təkmilləşdirir.

Çıxışı zamanı Qelsinqer bildirib ki, artıq təxminən 30-40 ildir ki, "Mur Qanunu"nun sona çatdığı elan edilib.

Yenə də şirkət 2030-cu ilə qədər hər bir çipdə 1 trilyon tranzistora sahib ola biləcəyini düşünür.

Buna nail olmaq üçün o, qabaqcıl qablaşdırma texnologiyalarını və heterojen inteqrasiya tətbiqlərini planlaşdırır.

Şirkət həmçinin "RibbonFET" adlı yeni tranzistor növünə keçməyə çalışır.

Bunlara əlavə olaraq, "PowerVIA" enerji paylama texnologiyası ilə çipin arxasından enerji paylayaraq performansını artırmağı planlaşdırır.